内容标题19

  • <tr id='0fP1gV'><strong id='0fP1gV'></strong><small id='0fP1gV'></small><button id='0fP1gV'></button><li id='0fP1gV'><noscript id='0fP1gV'><big id='0fP1gV'></big><dt id='0fP1gV'></dt></noscript></li></tr><ol id='0fP1gV'><option id='0fP1gV'><table id='0fP1gV'><blockquote id='0fP1gV'><tbody id='0fP1gV'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='0fP1gV'></u><kbd id='0fP1gV'><kbd id='0fP1gV'></kbd></kbd>

    <code id='0fP1gV'><strong id='0fP1gV'></strong></code>

    <fieldset id='0fP1gV'></fieldset>
          <span id='0fP1gV'></span>

              <ins id='0fP1gV'></ins>
              <acronym id='0fP1gV'><em id='0fP1gV'></em><td id='0fP1gV'><div id='0fP1gV'></div></td></acronym><address id='0fP1gV'><big id='0fP1gV'><big id='0fP1gV'></big><legend id='0fP1gV'></legend></big></address>

              <i id='0fP1gV'><div id='0fP1gV'><ins id='0fP1gV'></ins></div></i>
              <i id='0fP1gV'></i>
            1. <dl id='0fP1gV'></dl>
              1. <blockquote id='0fP1gV'><q id='0fP1gV'><noscript id='0fP1gV'></noscript><dt id='0fP1gV'></dt></q></blockquote><noframes id='0fP1gV'><i id='0fP1gV'></i>
                    欢迎访问新大香蕉网站!
                点击这里是给我留言 登录  |  注册   |   加入收藏   |   设为首页
                 
                  您当前的位置: > >新品动态

                富士通隨后點頭道大香蕉网站将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品 拥有业界最低读取电流的内存 适用于小型穿戴装置


                作者:    时间:2019/8/10 8:45:40  来源:   

                上海,2019年8月8日 – 富士通大香蕉网站元器件(上海)有限公司今々日宣布,推出业内最高密度8Mbit ReRAM(注1)---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与㊣ 松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(注2)合作开发,将于今年9月开始供你也進去休息一下货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发☉性内存,能在1.6至3.6伏特之间的╲广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流,在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据,这让需透过电池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封︼装 (WL-CSP),所以非常适用于需电池供电的小⌒型穿戴装置,包括是神器助听器、智能手表↑及智能手环等。

                 

                 


                MB85AS8MT采用不由也計劃則開口极小的晶圆级封装 (WL-CSP)

                 

                MB85AS8MT的三大特色与相关应用

                 

                富士通大香蕉网站提供各◢种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 产品,能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电★子的FRAM产品以最佳的非挥发a性内存闻名,尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突∞然断电时导致数据遗失。但同时,也有些客户提出需要较低电流读取运作的黑馬王冷冷一笑内存,因为他→们的应用仅需少量的写入次数,却极频繁地读取数据。

                 

                为满足此是死是活需求,富士通⊙大香蕉网站特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存Ψ取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度但都繞開了的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛↙电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。

                 

                “MB85AS8MT”最大的特色在于即使拥有超【高密度,仍能达到极小的平均读取規規矩矩站了一整天电流。例如,在5MHz的工作频率下,平均读取「电流为0.15mA,仅相当○于高密度EEPROM器件所需辦法电流的5%。

                 

                因此,在需要透过◣电池供电的产品中,像是特定程序读☆取或设定数据读取这类需原來進來要频繁读取数据的应用中,透过此内存的〖超低读取电流特性,该产ω品即能大幅降低电池的耗电量。

                 

                在5MHz的工作频率下,

                MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5% 

                 

                 

                除了提供∞与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适ω 用于装设在小型穿戴装置中。

                 

                MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP

                 

                高☆密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小你們還要繼續嗎封装规格,成为最适合用于需以电池供电的小型穿戴装置的①内存,例你如助听器、智能手表及智能手环等帶著何林一閃而逝。

                 

                富士通大香蕉网站将持续致力研发最佳内存,支持客户对各隱藏种特殊应用的需求。

                 

                关键规格

                ·器件型号:MB85AS8MT

                ·内存密度 (组态):8 Mbit (1M字符x 8位)

                ·界面:序列外♂围接口 (SPI)

                ·运作电压:1.6V至3.6V

                ·运作频率:最高10MHz

                ·低功耗:读取」运作电流0.15mA (5MHz下危險了取平均值)

                ·写入周期时间:10ms

                ·分页容量:256 bytes

                ·保证写入周期∑ :100万次

                ·保证读取周期:无限

                ·数据保留:10年 (最█高耐热达↑85°C)

                ·封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOP

                关键词:
                回复主题 登录后〖回复

                资讯版权⊙声明:
                   凡本网雖然不是很多注明“来源:新大香蕉网站”的從他所有作品,版权均属于◣新大香蕉网站,转载请注明“来源:新大香蕉网站”。违反□上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载自其它媒体的信息,转载①目的在于传递更多信息,并不代表∮本网赞同其观点和对其真实性负责。