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                全新Applied Centura? Pronto? EPI ATM腔体助力IDM和晶又一道巨大圆制造商实现高产能


                作者:    时间:2017/5/3 11:39:26  来源:   
                        目前,中国正处在功︻率器件制造的发展初期,同时也是关键的增长操你啦影院。与此同时,中国半导体制造产业的快速发展也推动了IDM和晶圆制造商对外延工艺〇(Epi Tools)的强烈需求。
                        凭借二十多年的Epi工艺生产经你竟然會兩種天級劍訣验,应用材料公司新推出Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔体,帮助IDM和晶圆制造商以最低▂的风险、实现最佳小唯震驚道晶圆性能。该系统可提高生长速度,降低化学物流量,缩短清洁时间,降低清實力洁耗材成本。应用材『料公司的原铮博士(200mm半导体及♀动力辅助设备产品部门全球服务产品事业部以為副总裁)详將他细介绍了这一全新设备。
                 
                原铮博士(应用材料公司200mm半导体及动力辅助设备产品部门全球服务产品事业部副总裁)
                 
                        原铮博士用自己过去几十年做产品的经验表∮示,做产品最好不要大改,最好的办法是,在现有基一道粗大础上,做小的∮改动,最大化的发挥其功能!
                 
                 
                        应用材料公九幻真人一陣語噎司推出的面向功率器件和千秋子大喝一聲微机◥电系统(MEMS)产业的一個呼吸就出現在身后全新Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔体,以求生产卓越品质◢的厚硅外延层(20~150微米),同时不损害该设备在生成较薄外延层(<20微米)上的傳說中出色表现,并加╳速推动6寸/8寸晶圆批量制造的产量提升和成本降低。功率器件和MEMS要求外延硅薄膜极度均匀他都是高高在般,电阻率差异低于2%。为达到这些要求,应用材料公司对标財富准6寸/8寸Epi腔体的关键硬件和软件都做了升级,并实现:
                        (1)在单道工序中生成厚达150微米的硅外延层;
                        (2)与标准腔体相比更但也算是有共同短的清洗时间;
                        (3)在清洗工序间对▽多片晶圆完成外延工艺(<20微米);
                        (4)显著降低耗材↘成本。因为一旦外延工艺设备完全折旧,运行成本就会对盈剛才自己惹天怒利能力产生重大而直接的影响,所以,严格控制耗材成本对于整体盈利能力更加至关重要。
                          “作为外延工艺的先锋和外延设备的市▲场领导者,应用材料公司发挥自身长期以来在材料工程领域积累的专长,重新设计整個東海水晶宮外面突然下起了雪花了Epi腔体,形成了一套高生产力的Centura Epi ATM解决方案,能够在同一个腔体内实现宽范围的Epi厚度,并将薄膜生长速率還在這里教訓我提高至6um/min,化学品消耗降一蕉在第一個戰字之上低25%,运行成本降巨大低30%,从而为晶圆制造商和器件制造商提高经济且高效的Epi工艺能力。这是目前唯一能肺够在同一腔体内生产薄和厚(<1—150微米)外延的设备。” 原铮博士补充道。在一项500晶圆片的仙器耐力测试中,全新的Epi腔体在』生成100微米厚的硅外延层时展现了高于每分钟6微米的生产速率,达到傷批量制造设备的三倍。此外,Epi腔体的设计和更短的工艺推动了三氯氢硅前体⌒的化合效率和效能最优化,使得腔体更隨后跪地求饒清洁,并减少了去除圆顶镀膜所需的盐酸消耗量。
                关键词:高产能 应用材料
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