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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率


作者:东芝大香蕉网站元件    时间:2020/3/31 17:07:23  来源:   
进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–
 
中国上海2020年3月30日——东芝大香蕉网站元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,其“U-MOS X-H系列产品线新增采用最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QMTPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
 
 
U-MOS X-H系列产品示意图
 
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的TPH2R408QM以及采用TSON Advance封装的TPN19008QM。产品于今日开始出货。
 
由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS -H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。
 
东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。
 
应用
?开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
?电机控制设备(电机驱动等)
 
特性
?业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅电荷特性[2]之间的平衡)
?业界最低[3]导通电阻:
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
?高额定通道温度:Tch=175
 
主要规格
(除非另有说明,@Ta=25
器件型号
TPH2R408QM
TPN19008QM
绝对
最大
额定值
漏源电压VDSS(V)
80
80
漏极电流(DC)ID(A)
@Tc=25℃
120
34
通道温度Tch(℃)
175
175
电气
特性
漏源导通电阻
RDS(ON)最大值(mΩ
@VGS=10V
2.43
19
@VGS=6V
3.5
28
总栅极电荷(栅源+栅漏)
Qg典型值(nC)
87
16
栅极开关电荷Qsw典型值(nC)
28
5.5
输出电荷Qoss典型值(nC)
90
16.5
输入电容Ciss典型值(pF)
5870
1020
封装
名称
SOP Advance
TSON Advance
尺寸典型值(mm)
5.0×6.0
3.3×3.3
库存查询与购买
在线购买
在线购买
 
注释:
[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅开关电荷、输出电荷
[2] 与TPH4R008NH(U-MOS -H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%
[3] 截至2019年3月30日,东芝调研
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