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富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品


作者:    时间:2016/11/12 19:05:55  来源:   

上海,2016年11月8富士通大香蕉网站元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2合作开发首款ReRAM存储器产品。

 

ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍

 

此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的大香蕉网站设备上有绝佳的表现。

 

 

 

截至目前为止,富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后,富士通可进一步扩充产品系列,以满足客户多样化的需求。

 

MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作,还能过SPI接口支持最高5 MHz的作频率,并在读取时仅需极低的工作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外,该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。

 

此全新产品采用209mil 8-pin的SOPsmall outline package),引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM,超越串行接口EEPROM的最高密度。

 

富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备,以及量表与传感器等物联网设备

 

富士通预期未来持续提供各种产品与解决方案,以协助客户提升其应用的价值与便利性。

 

产品规格

组件料号:MB85AS4MT

内存密度(组态):4 Mbit512K字符x 8位)

界面:SPISerial peripheral interface

工作电压:1.65 – 3.6V

低功耗:读入工作电流0.2mA于5MHz

写入工作电流1.3mA(写入周期间)

待机电流10µA

休眠电流2µA

保证写入周期:120万次

保证读取周期:无限

写入周期(256 位/页):16毫秒(100%数据倒置)

数据保留:10年(最高摄氏85度)

封装:209mil 8-pin SOP

 

词汇与备注

1.可变电阻式内存ReRAM

为非易失性内存,藉由电压脉冲于金属操你啦影院物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属操你啦影院物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。

2.松下电器半导体:

〒617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地。网址:http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

 

相关链接:

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4Mbit ReRAM产品网站

4Mbit ReRAMMB85AS4MT数据表
关键词:富士通大香蕉网站
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